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FDU8796

FDU8796

僅供參考

型號 FDU8796
PNEDA編號 FDU8796
描述 MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDU8796資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDU8796
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDU8796, FDU8796數據表 (總頁數: 6, 大小: 308.51 KB)
PDFFDU8796數據表 封面
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FDU8796規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs52nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2610pF @ 13V
FET功能-
功耗(最大值)88W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.9A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 600µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

182W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 430µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1.037mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 4.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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