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FDW2503N

FDW2503N

僅供參考

型號 FDW2503N
PNEDA編號 FDW2503N
描述 MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDW2503N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDW2503N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDW2503N, FDW2503N數據表 (總頁數: 5, 大小: 366.95 KB)
PDFFDW2503N數據表 封面
FDW2503N數據表 頁面 2 FDW2503N數據表 頁面 3 FDW2503N數據表 頁面 4 FDW2503N數據表 頁面 5

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FDW2503N規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1082pF @ 10V
功率-最大600mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 10V

功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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