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FDZ197PZ

FDZ197PZ

僅供參考

型號 FDZ197PZ
PNEDA編號 FDZ197PZ
描述 MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDZ197PZ資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDZ197PZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDZ197PZ, FDZ197PZ數據表 (總頁數: 9, 大小: 416.39 KB)
PDFFDZ197PZ數據表 封面
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FDZ197PZ規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs64mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1570pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.9W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-WLCSP (1.0x1.5)
包裝/箱6-UFBGA, WLCSP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4951pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

255W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2050pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 78.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

295mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2070pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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