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FDZ4670S

FDZ4670S

僅供參考

型號 FDZ4670S
PNEDA編號 FDZ4670S
描述 MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDZ4670S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDZ4670S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDZ4670S, FDZ4670S數據表 (總頁數: 7, 大小: 366.62 KB)
PDFFDZ4670S數據表 封面
FDZ4670S數據表 頁面 2 FDZ4670S數據表 頁面 3 FDZ4670S數據表 頁面 4 FDZ4670S數據表 頁面 5 FDZ4670S數據表 頁面 6 FDZ4670S數據表 頁面 7

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FDZ4670S規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®, SyncFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs69nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3845pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝20-FLFBGA (3.55x4)
包裝/箱20-FLFBGA (30 pos)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

268W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 59A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

106A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 82A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

427W

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