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FEP16DT-5001HE3/45

FEP16DT-5001HE3/45

僅供參考

型號 FEP16DT-5001HE3/45
PNEDA編號 FEP16DT-5001HE3-45
描述 DIODE ARRAY GP TO220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FEP16DT-5001HE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FEP16DT-5001HE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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FEP16DT-5001HE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)16A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

26ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

工作溫度-結點

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 150V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 150V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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