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FES16AT-E3/45

FES16AT-E3/45

僅供參考

型號 FES16AT-E3/45
PNEDA編號 FES16AT-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 50V 16A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,554
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FES16AT-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FES16AT-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FES16AT-E3/45, FES16AT-E3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 141.41 KB)
PDFFES16JT-9HE3/45數據表 封面
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FES16AT-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)16A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果975mV @ 16A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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35V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

115pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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1600V

電流-平均整流(Io)

360mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

125µA @ 650V

電容@ Vr,F

28pF @ 600V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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