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FESB16CT-E3/45

FESB16CT-E3/45

僅供參考

型號 FESB16CT-E3/45
PNEDA編號 FESB16CT-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FESB16CT-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FESB16CT-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FESB16CT-E3/45, FESB16CT-E3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 141.41 KB)
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FESB16CT-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)16A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果975mV @ 16A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 150V
電容@ Vr,F175pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

240A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 240A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12mA @ 40V

電容@ Vr,F

10500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

HALF-PAK

供應商設備包裝

HALF-PAK

工作溫度-結點

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1nA @ 125V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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