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FESB8FTHE3/45

FESB8FTHE3/45

僅供參考

型號 FESB8FTHE3/45
PNEDA編號 FESB8FTHE3-45
描述 DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FESB8FTHE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FESB8FTHE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FESB8FTHE3/45, FESB8FTHE3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 130.37 KB)
PDFFES8CT-5400HE3/45數據表 封面
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FESB8FTHE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 300V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.8V @ 30A

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 650V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

13pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-220AA (SMP)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

VS-30WQ06FNTRHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 60V

電容@ Vr,F

145pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.68V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

220ns

當前-反向泄漏@ Vr

145µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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