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FESF16GT-E3/45

FESF16GT-E3/45

僅供參考

型號 FESF16GT-E3/45
PNEDA編號 FESF16GT-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 400V 16A ITO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FESF16GT-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FESF16GT-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FESF16GT-E3/45, FESF16GT-E3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 141.41 KB)
PDFFES16JT-9HE3/45數據表 封面
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FESF16GT-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)16A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 16A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
供應商設備包裝ITO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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制造商

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系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)

300mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

175°C (Max)

RB500V-40 RRG

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10V

電容@ Vr,F

6pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-90, SOD-323F

供應商設備包裝

SOD-323F

工作溫度-結點

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

A, Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-65°C ~ 200°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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