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FESF16JTHE3/45

FESF16JTHE3/45

僅供參考

型號 FESF16JTHE3/45
PNEDA編號 FESF16JTHE3-45
描述 DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FESF16JTHE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FESF16JTHE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FESF16JTHE3/45, FESF16JTHE3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 141.41 KB)
PDFFES16JT-9HE3/45數據表 封面
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FESF16JTHE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)16A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 16A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
供應商設備包裝ITO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

3pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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SOD-123F

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 80V

電容@ Vr,F

3pF @ 0.5V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

270A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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