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FF1000R17IE4DPB2BOSA1

FF1000R17IE4DPB2BOSA1

僅供參考

型號 FF1000R17IE4DPB2BOSA1
PNEDA編號 FF1000R17IE4DPB2BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF1000R17IE4DPB2BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF1000R17IE4DPB2BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF1000R17IE4DPB2BOSA1, FF1000R17IE4DPB2BOSA1數據表 (總頁數: 10, 大小: 620.2 KB)
PDFFF1000R17IE4DPB2BOSA1數據表 封面
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FF1000R17IE4DPB2BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)1000A
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 1000A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce81nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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670A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

21mA

輸入電容(Cies)@ Vce

26nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入電容(Cies)@ Vce

-

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Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

17.6nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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制造商

IXYS

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NPT

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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50A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 35A

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1.1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

880pF @ 25V

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