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FF150R12KE3GB2HOSA1

FF150R12KE3GB2HOSA1

僅供參考

型號 FF150R12KE3GB2HOSA1
PNEDA編號 FF150R12KE3GB2HOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 150A
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $81.6220
50 ---------- $77.7960
100 ---------- $73.9700
200 ---------- $70.1439
400 ---------- $66.9556
500 ---------- $63.7672
庫存 3,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF150R12KE3GB2HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF150R12KE3GB2HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF150R12KE3GB2HOSA1, FF150R12KE3GB2HOSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 419.01 KB)
PDFFF150R12KE3GB2HOSA1數據表 封面
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FF150R12KE3GB2HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

105A

功率-最大

355W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

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系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

功率-最大

80W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

400µA

輸入電容(Cies)@ Vce

530pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

580A

功率-最大

2100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

29nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

49A

功率-最大

208W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1.1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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