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FF150R17ME3GBOSA1

FF150R17ME3GBOSA1

僅供參考

型號 FF150R17ME3GBOSA1
PNEDA編號 FF150R17ME3GBOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 150A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF150R17ME3GBOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF150R17ME3GBOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF150R17ME3GBOSA1, FF150R17ME3GBOSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 479.08 KB)
PDFFF150R17ME3GBOSA1數據表 封面
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FF150R17ME3GBOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)240A
功率-最大1050W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce13.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

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輸入電容(Cies)@ Vce

54nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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功率-最大

625W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.35V @ 15V, 80A

當前-集電極截止(最大值)

25µA

輸入電容(Cies)@ Vce

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