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FF600R12IE4VBOSA1

FF600R12IE4VBOSA1

僅供參考

型號 FF600R12IE4VBOSA1
PNEDA編號 FF600R12IE4VBOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 600V 600A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF600R12IE4VBOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF600R12IE4VBOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF600R12IE4VBOSA1, FF600R12IE4VBOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,700.72 KB)
PDFFF600R12IE4VBOSA1數據表 封面
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FF600R12IE4VBOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)600A
功率-最大3350W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.05V @ 15V, 600A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce37nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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600V

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230A

功率-最大

833W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

FF200R12KE4PHOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

*

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

14nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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-

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-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

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NTC熱敏電阻

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

130A

功率-最大

660W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.8nF @ 25V

輸入

Standard

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No

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配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

功率-最大

180W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

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