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FF650R17IE4PBOSA1

FF650R17IE4PBOSA1

僅供參考

型號 FF650R17IE4PBOSA1
PNEDA編號 FF650R17IE4PBOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1700V 650A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF650R17IE4PBOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF650R17IE4PBOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF650R17IE4PBOSA1, FF650R17IE4PBOSA1數據表 (總頁數: 10, 大小: 610.71 KB)
PDFFF650R17IE4PBOSA1數據表 封面
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FF650R17IE4PBOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)650A
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 650A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce54nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

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輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

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Chassis Mount

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系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

385W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Dual Boost Chopper

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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83A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.8nF @ 25V

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Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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