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FFSM1265A

FFSM1265A

僅供參考

型號 FFSM1265A
PNEDA編號 FFSM1265A
描述 650V 12A SIC SBD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FFSM1265A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FFSM1265A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FFSM1265A, FFSM1265A數據表 (總頁數: 6, 大小: 320.77 KB)
PDFFFSM1265A數據表 封面
FFSM1265A數據表 頁面 2 FFSM1265A數據表 頁面 3 FFSM1265A數據表 頁面 4 FFSM1265A數據表 頁面 5 FFSM1265A數據表 頁面 6

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FFSM1265A規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)12.5A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.75V @ 12A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 650V
電容@ Vr,F665pF @ 1V, 100kHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-PowerTSFN
供應商設備包裝4-PQFN (8x8)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

27pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 200V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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Through Hole

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