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FGA50N100BNTTU

FGA50N100BNTTU

僅供參考

型號 FGA50N100BNTTU
PNEDA編號 FGA50N100BNTTU
描述 IGBT 1000V 50A 156W TO3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGA50N100BNTTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGA50N100BNTTU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGA50N100BNTTU, FGA50N100BNTTU數據表 (總頁數: 8, 大小: 702.48 KB)
PDFFGA50N100BNTTU數據表 封面
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FGA50N100BNTTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT and Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1000V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.9V @ 15V, 60A
功率-最大156W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用257nC
25°C時的Td(開/關)34ns/243ns
測試條件600V, 60A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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電流-集電極脈沖(Icm)

118A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 30A

功率-最大

270W

開關能量

1mJ (on), 270µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

44nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/75ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9.6A

電流-集電極脈沖(Icm)

9.9A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 3A

功率-最大

62.5W

開關能量

290µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

22nC

25°C時的Td(開/關)

9.2ns/281ns

測試條件

800V, 3A, 82Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 10A

功率-最大

100W

開關能量

430µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

17nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/180ns

測試條件

480V, 10A, 30Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.07V @ 15V, 25A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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