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FGH30N120FTDTU

FGH30N120FTDTU

僅供參考

型號 FGH30N120FTDTU
PNEDA編號 FGH30N120FTDTU
描述 IGBT 1200V 60A 339W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 30 - 四月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGH30N120FTDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGH30N120FTDTU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGH30N120FTDTU, FGH30N120FTDTU數據表 (總頁數: 9, 大小: 582.74 KB)
PDFFGH30N120FTDTU數據表 封面
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FGH30N120FTDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)90A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 30A
功率-最大339W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用208nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)730ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

功率-最大

105W

開關能量

400µJ (on), 80µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

38nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 15A, 39Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

功率-最大

480W

開關能量

5.3mJ (on), 1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

480nC

25°C時的Td(開/關)

55ns/200ns

測試條件

600V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

功率-最大

285W

開關能量

365µJ (on), 560µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

195nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/240ns

測試條件

390V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-集電極脈沖(Icm)

110A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

200W

開關能量

700µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/90ns

測試條件

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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