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FGH40T65SHD-F155

FGH40T65SHD-F155

僅供參考

型號 FGH40T65SHD-F155
PNEDA編號 FGH40T65SHD-F155
描述 IGBT 650V 80A 268W TO-247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGH40T65SHD-F155資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGH40T65SHD-F155
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGH40T65SHD-F155, FGH40T65SHD-F155數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,266.08 KB)
PDFFGH40T65SHD-F155數據表 封面
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FGH40T65SHD-F155規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 40A
功率-最大268W
開關能量1.01mJ (on), 297µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用72.2nC
25°C時的Td(開/關)19.2ns/65.6ns
測試條件400V, 40A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)31.8ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 Long Leads

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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開關能量

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

310A

電流-集電極脈沖(Icm)

840A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 140A

功率-最大

1630W

開關能量

4.3mJ (on), 4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

330nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/145ns

測試條件

450V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 8A

功率-最大

38W

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輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/630ns

測試條件

480V, 8A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

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