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FGH60N60SFDTU

FGH60N60SFDTU

僅供參考

型號 FGH60N60SFDTU
PNEDA編號 FGH60N60SFDTU
描述 IGBT 600V 120A 378W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 18 - 四月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGH60N60SFDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGH60N60SFDTU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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FGH60N60SFDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)120A
電流-集電極脈沖(Icm)180A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.9V @ 15V, 60A
功率-最大378W
開關能量1.79mJ (on), 670µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用198nC
25°C時的Td(開/關)22ns/134ns
測試條件400V, 60A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)47ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 20A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

105nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.35µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/130ns

測試條件

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 45A

功率-最大

300W

開關能量

14mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

55ns/370ns

測試條件

960V, 45A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 10A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

290nC

25°C時的Td(開/關)

75ns/305ns

測試條件

600V, 50A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 50A

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