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FJAF6810DYDTBTU

FJAF6810DYDTBTU

僅供參考

型號 FJAF6810DYDTBTU
PNEDA編號 FJAF6810DYDTBTU
描述 TRANS NPN 750V 10A TO-3PF
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJAF6810DYDTBTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJAF6810DYDTBTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJAF6810DYDTBTU, FJAF6810DYDTBTU數據表 (總頁數: 5, 大小: 77.78 KB)
PDFFJAF6810DTU數據表 封面
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FJAF6810DYDTBTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)750V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 1.5A, 6A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce5 @ 6A, 5V
功率-最大60W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-3PF

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3A

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 500mA, 4V

功率-最大

30W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 350mV

功率-最大

360mW

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 35mA, 700mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

320MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 2A, 5V

功率-最大

50W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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