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FJB5555TM

FJB5555TM

僅供參考

型號 FJB5555TM
PNEDA編號 FJB5555TM
描述 TRANS NPN 400V 5A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJB5555TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJB5555TM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJB5555TM, FJB5555TM數據表 (總頁數: 8, 大小: 314.67 KB)
PDFFJB5555TM數據表 封面
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FJB5555TM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1A, 3.5A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 800mA, 3V
功率-最大1.6W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D²PAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 25mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 250mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-39

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 50mA, 10V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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