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FJD3305H1TM

FJD3305H1TM

僅供參考

型號 FJD3305H1TM
PNEDA編號 FJD3305H1TM
描述 TRANS NPN 400V 4A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,362
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 5 - 三月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJD3305H1TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJD3305H1TM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJD3305H1TM, FJD3305H1TM數據表 (總頁數: 7, 大小: 365.28 KB)
PDFFJD3305H1TM數據表 封面
FJD3305H1TM數據表 頁面 2 FJD3305H1TM數據表 頁面 3 FJD3305H1TM數據表 頁面 4 FJD3305H1TM數據表 頁面 5 FJD3305H1TM數據表 頁面 6 FJD3305H1TM數據表 頁面 7

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FJD3305H1TM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 1A, 4A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 2A, 5V
功率-最大1.1W
頻率-過渡4MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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