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FJNS4207RBU

FJNS4207RBU

僅供參考

型號 FJNS4207RBU
PNEDA編號 FJNS4207RBU
描述 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,370
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 17 - 六月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJNS4207RBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJNS4207RBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
FJNS4207RBU, FJNS4207RBU數據表 (總頁數: 4, 大小: 37.42 KB)
PDFFJNS4207RBU數據表 封面
FJNS4207RBU數據表 頁面 2 FJNS4207RBU數據表 頁面 3 FJNS4207RBU數據表 頁面 4

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FJNS4207RBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡200MHz
功率-最大300mW
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝TO-92S

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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100mA

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50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

150mW

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

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500nA

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