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FJP13007H1TU-F080

FJP13007H1TU-F080

僅供參考

型號 FJP13007H1TU-F080
PNEDA編號 FJP13007H1TU-F080
描述 TO220 HV FAST-SWITCHING NPN PWR
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJP13007H1TU-F080資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJP13007H1TU-F080
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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FJP13007H1TU-F080規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 2A, 8A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 2A, 5V
功率-最大80W
頻率-過渡4MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 2mA, 10V

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頻率-過渡

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工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 500mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

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