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FJP5021OVTU

FJP5021OVTU

僅供參考

型號 FJP5021OVTU
PNEDA編號 FJP5021OVTU
描述 TRANS NPN 500V 5A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJP5021OVTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJP5021OVTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJP5021OVTU, FJP5021OVTU數據表 (總頁數: 5, 大小: 57.3 KB)
PDFFJP5021OTU數據表 封面
FJP5021OTU數據表 頁面 2 FJP5021OTU數據表 頁面 3 FJP5021OTU數據表 頁面 4 FJP5021OTU數據表 頁面 5

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FJP5021OVTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)500V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 600mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 600mA, 5V
功率-最大50W
頻率-過渡18MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 1A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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TO-220-3 Full Pack

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 3V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

500µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 4A, 3V

功率-最大

75W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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工作溫度

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