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FJP5304DTU

FJP5304DTU

僅供參考

型號 FJP5304DTU
PNEDA編號 FJP5304DTU
描述 TRANS NPN 400V 4A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJP5304DTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJP5304DTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJP5304DTU, FJP5304DTU數據表 (總頁數: 7, 大小: 300.69 KB)
PDFFJP5304D數據表 封面
FJP5304D數據表 頁面 2 FJP5304D數據表 頁面 3 FJP5304D數據表 頁面 4 FJP5304D數據表 頁面 5 FJP5304D數據表 頁面 6 FJP5304D數據表 頁面 7

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FJP5304DTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 500mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)250mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 2A, 5V
功率-最大70W
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 25mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

75MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

350mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

305mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, No Lead

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4000 @ 1A, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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