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FJPF2145TU

FJPF2145TU

僅供參考

型號 FJPF2145TU
PNEDA編號 FJPF2145TU
描述 TRANS NPN 800V 5A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJPF2145TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJPF2145TU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJPF2145TU, FJPF2145TU數據表 (總頁數: 14, 大小: 887.06 KB)
PDFFJPF2145TU數據表 封面
FJPF2145TU數據表 頁面 2 FJPF2145TU數據表 頁面 3 FJPF2145TU數據表 頁面 4 FJPF2145TU數據表 頁面 5 FJPF2145TU數據表 頁面 6 FJPF2145TU數據表 頁面 7 FJPF2145TU數據表 頁面 8 FJPF2145TU數據表 頁面 9 FJPF2145TU數據表 頁面 10 FJPF2145TU數據表 頁面 11

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FJPF2145TU規格

制造商ON Semiconductor
系列ESBC™
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)800V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 300mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 200mA, 5V
功率-最大40W
頻率-過渡15MHz
工作溫度-55°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 3V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

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