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FJPF5200OTU

FJPF5200OTU

僅供參考

型號 FJPF5200OTU
PNEDA編號 FJPF5200OTU
描述 TRANS NPN 250V 17A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJPF5200OTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJPF5200OTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJPF5200OTU, FJPF5200OTU數據表 (總頁數: 5, 大小: 487.02 KB)
PDFFJPF5200RTU數據表 封面
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FJPF5200OTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)17A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 800mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)5µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 1A, 5V
功率-最大50W
頻率-過渡30MHz
工作溫度-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

290mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

260 @ 2mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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