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FM21LD16-60-BG

FM21LD16-60-BG

僅供參考

型號 FM21LD16-60-BG
PNEDA編號 FM21LD16-60-BG
描述 IC FRAM 2M PARALLEL 48FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FM21LD16-60-BG資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FM21LD16-60-BG
類別半導體內存IC內存

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FM21LD16-60-BG規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列F-RAM™
內存類型Non-Volatile
內存格式FRAM
技術FRAM (Ferroelectric RAM)
內存大小2Mb (128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁110ns
訪問時間110ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-FBGA (6x8)

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.63V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-TSOP

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