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FM24VN10-GTR

FM24VN10-GTR

僅供參考

型號 FM24VN10-GTR
PNEDA編號 FM24VN10-GTR
描述 IC FRAM 1M I2C 3.4MHZ 8SOIC
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FM24VN10-GTR資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FM24VN10-GTR
類別半導體內存IC內存

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FM24VN10-GTR規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列F-RAM™
內存類型Non-Volatile
內存格式FRAM
技術FRAM (Ferroelectric RAM)
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率3.4MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間130ns
電壓-供電2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存格式

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

450MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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