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FM93C06N

FM93C06N

僅供參考

型號 FM93C06N
PNEDA編號 FM93C06N
描述 IC EEPROM 256 SPI 1MHZ 8DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FM93C06N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FM93C06N
類別半導體內存IC內存
數據表
FM93C06N, FM93C06N數據表 (總頁數: 13, 大小: 114.28 KB)
PDFFM93C06N數據表 封面
FM93C06N數據表 頁面 2 FM93C06N數據表 頁面 3 FM93C06N數據表 頁面 4 FM93C06N數據表 頁面 5 FM93C06N數據表 頁面 6 FM93C06N數據表 頁面 7 FM93C06N數據表 頁面 8 FM93C06N數據表 頁面 9 FM93C06N數據表 頁面 10 FM93C06N數據表 頁面 11

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FM93C06N規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小256b (16 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁10ms
訪問時間-
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-DIP

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內存類型

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內存格式

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技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

40ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2.6ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

119-PBGA (14x22)

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制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

44-SOJ

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