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FMB5551

FMB5551

僅供參考

型號 FMB5551
PNEDA編號 FMB5551
描述 TRANS 2NPN 160V 0.6A 6SSOT
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMB5551資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMB5551
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
FMB5551, FMB5551數據表 (總頁數: 5, 大小: 188.27 KB)
PDFFMB5551數據表 封面
FMB5551數據表 頁面 2 FMB5551數據表 頁面 3 FMB5551數據表 頁面 4 FMB5551數據表 頁面 5

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FMB5551規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
功率-最大700mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

350 @ 4mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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工作溫度

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安裝類型

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Central Semiconductor Corp

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

功率-最大

-

頻率-過渡

900MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 10V

功率-最大

2.75W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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