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FMG2G300US60E

FMG2G300US60E

僅供參考

型號 FMG2G300US60E
PNEDA編號 FMG2G300US60E
描述 IGBT MOLDING 600V 300A 7PM-HA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMG2G300US60E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMG2G300US60E
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FMG2G300US60E, FMG2G300US60E數據表 (總頁數: 7, 大小: 719.42 KB)
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FMG2G300US60E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)300A
功率-最大892W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 300A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱7PM-HA
供應商設備包裝7PM-HA

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功率-最大

197W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1550pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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輸入電容(Cies)@ Vce

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Standard

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Yes

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-

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

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NTC熱敏電阻

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