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FMKS-2102

FMKS-2102

僅供參考

型號 FMKS-2102
PNEDA編號 FMKS-2102
描述 DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220FP
制造商 Sanken
單價 請求報價
庫存 18,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMKS-2102資源

品牌 Sanken
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMKS-2102
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
FMKS-2102, FMKS-2102數據表 (總頁數: 14, 大小: 530.49 KB)
PDFFMKS-2102數據表 封面
FMKS-2102數據表 頁面 2 FMKS-2102數據表 頁面 3 FMKS-2102數據表 頁面 4 FMKS-2102數據表 頁面 5 FMKS-2102數據表 頁面 6 FMKS-2102數據表 頁面 7 FMKS-2102數據表 頁面 8 FMKS-2102數據表 頁面 9 FMKS-2102數據表 頁面 10 FMKS-2102數據表 頁面 11

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FMKS-2102規格

制造商Sanken
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果980mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 200V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F-3

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220FN

VS-6CWQ03FNTRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

3.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 30V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

321A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 320A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

12µA @ 400V

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

500mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

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工作溫度-結點

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