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FODM121CR1

FODM121CR1

僅供參考

型號 FODM121CR1
PNEDA編號 FODM121CR1
描述 OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FODM121CR1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FODM121CR1
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
FODM121CR1, FODM121CR1數據表 (總頁數: 13, 大小: 401.04 KB)
PDFFODM2701R2V數據表 封面
FODM2701R2V數據表 頁面 2 FODM2701R2V數據表 頁面 3 FODM2701R2V數據表 頁面 4 FODM2701R2V數據表 頁面 5 FODM2701R2V數據表 頁面 6 FODM2701R2V數據表 頁面 7 FODM2701R2V數據表 頁面 8 FODM2701R2V數據表 頁面 9 FODM2701R2V數據表 頁面 10 FODM2701R2V數據表 頁面 11

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FODM121CR1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離3750Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 5mA
電流傳輸比(最大值)200% @ 5mA
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)3µs, 3µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)80V
電流-輸出/通道80mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.3V (Max)
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-40°C ~ 110°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝4-SMD

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電流傳輸比(最小值)

100% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

320% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5.5µs

上升/下降時間(典型值)

3.5µs, 5µs

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

55V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

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安裝類型

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

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上升/下降時間(典型值)

20µs, 20µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V

電流-直流正向(If)(最大值)

40mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

1000% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

15000% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

100µs, 20µs

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

300V

電流-輸出/通道

150mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

1.2V

工作溫度

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安裝類型

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5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

20% @ 10mA

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300% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

700ns, 1.4µs

上升/下降時間(典型值)

1.9µs, 1.4µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

50V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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