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FODM217DV

FODM217DV

僅供參考

型號 FODM217DV
PNEDA編號 FODM217DV
描述 PHOTOTRANSISTOR OPTO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FODM217DV資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FODM217DV
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出

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FODM217DV規格

制造商ON Semiconductor
系列FODM217
頻道數1
電壓-隔離3750Vrms
電流傳輸比(最小值)300% @ 5mA
電流傳輸比(最大值)600% @ 5mA
開啟/關閉時間(典型值)3µs, 3µs
上升/下降時間(典型值)2µs, 3µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)80V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-55°C ~ 110°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝4-SOP

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

150% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

40mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

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5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

500mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

20% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

11µs, 7µs

上升/下降時間(典型值)

7µs, 6.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

32V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

6-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

6-DIP

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Vishay Semiconductor Opto Division

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電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

15µs, 15µs

上升/下降時間(典型值)

9µs, 18µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

6-DIP (0.300", 7.62mm)

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電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 5µs

輸入類型

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輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

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