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FQAF19N20L

FQAF19N20L

僅供參考

型號 FQAF19N20L
PNEDA編號 FQAF19N20L
描述 MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQAF19N20L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQAF19N20L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQAF19N20L, FQAF19N20L數據表 (總頁數: 8, 大小: 712.47 KB)
PDFFQAF19N20L數據表 封面
FQAF19N20L數據表 頁面 2 FQAF19N20L數據表 頁面 3 FQAF19N20L數據表 頁面 4 FQAF19N20L數據表 頁面 5 FQAF19N20L數據表 頁面 6 FQAF19N20L數據表 頁面 7 FQAF19N20L數據表 頁面 8

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FQAF19N20L規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)85W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PF
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

234W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Ta), 197A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6560pF @ 13V

FET功能

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功耗(最大值)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

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安裝類型

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10.5nF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

735W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

21.3pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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540mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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-

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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