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FQAF28N15

FQAF28N15

僅供參考

型號 FQAF28N15
PNEDA編號 FQAF28N15
描述 MOSFET N-CH 150V 22A TO-3PF
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQAF28N15資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQAF28N15
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQAF28N15, FQAF28N15數據表 (總頁數: 8, 大小: 786.3 KB)
PDFFQAF28N15數據表 封面
FQAF28N15數據表 頁面 2 FQAF28N15數據表 頁面 3 FQAF28N15數據表 頁面 4 FQAF28N15數據表 頁面 5 FQAF28N15數據表 頁面 6 FQAF28N15數據表 頁面 7 FQAF28N15數據表 頁面 8

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FQAF28N15規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs52nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)102W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PF
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack

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250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

265mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.45nC @ 10V

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

73pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

2W (Ta)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2748pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3120pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

3.6W (Ta), 114W (Tc)

工作溫度

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130mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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185nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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