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FQB3P50TM

FQB3P50TM

僅供參考

型號 FQB3P50TM
PNEDA編號 FQB3P50TM
描述 MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQB3P50TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQB3P50TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQB3P50TM, FQB3P50TM數據表 (總頁數: 9, 大小: 645.59 KB)
PDFFQI3P50TU數據表 封面
FQI3P50TU數據表 頁面 2 FQI3P50TU數據表 頁面 3 FQI3P50TU數據表 頁面 4 FQI3P50TU數據表 頁面 5 FQI3P50TU數據表 頁面 6 FQI3P50TU數據表 頁面 7 FQI3P50TU數據表 頁面 8 FQI3P50TU數據表 頁面 9

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FQB3P50TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.13W (Ta), 85W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.25mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2830pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

PowerPAK® SO-8

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

950V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.35Ohm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1031pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

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系列

-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

84A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

340nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1135W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A (Ta), 10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

69mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

825pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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