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FQB4N50TM

FQB4N50TM

僅供參考

型號 FQB4N50TM
PNEDA編號 FQB4N50TM
描述 MOSFET N-CH 500V 3.4A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQB4N50TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQB4N50TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQB4N50TM, FQB4N50TM數據表 (總頁數: 9, 大小: 750.84 KB)
PDFFQB4N50TM數據表 封面
FQB4N50TM數據表 頁面 2 FQB4N50TM數據表 頁面 3 FQB4N50TM數據表 頁面 4 FQB4N50TM數據表 頁面 5 FQB4N50TM數據表 頁面 6 FQB4N50TM數據表 頁面 7 FQB4N50TM數據表 頁面 8 FQB4N50TM數據表 頁面 9

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FQB4N50TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.7Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds460pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.13W (Ta), 70W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

150W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2190pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 490µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1640pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

174W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

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功耗(最大值)

45W (Tc)

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