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FQB7P20TM-F085

FQB7P20TM-F085

僅供參考

型號 FQB7P20TM-F085
PNEDA編號 FQB7P20TM-F085
描述 MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQB7P20TM-F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQB7P20TM-F085
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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FQB7P20TM-F085規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101, QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs690mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds770pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.13W (Ta), 90W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2310pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 53W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

211A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7120pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

139W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

320mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

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功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

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