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FQD10N20TF

FQD10N20TF

僅供參考

型號 FQD10N20TF
PNEDA編號 FQD10N20TF
描述 MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD10N20TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD10N20TF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD10N20TF, FQD10N20TF數據表 (總頁數: 9, 大小: 778.05 KB)
PDFFQD10N20TM數據表 封面
FQD10N20TM數據表 頁面 2 FQD10N20TM數據表 頁面 3 FQD10N20TM數據表 頁面 4 FQD10N20TM數據表 頁面 5 FQD10N20TM數據表 頁面 6 FQD10N20TM數據表 頁面 7 FQD10N20TM數據表 頁面 8 FQD10N20TM數據表 頁面 9

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FQD10N20TF規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds670pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 51W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 13.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

990pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

88.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 110A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7580pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 67A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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