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FQD12N20LTM_SN00173

FQD12N20LTM_SN00173

僅供參考

型號 FQD12N20LTM_SN00173
PNEDA編號 FQD12N20LTM_SN00173
描述 MOSFET N-CH 200V DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD12N20LTM_SN00173資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD12N20LTM_SN00173
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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FQD12N20LTM_SN00173規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1080pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 68A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

QFET®

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2055pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

195W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 320µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

877pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

208mOhm @ 5A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

398pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

103W (Tc)

工作溫度

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