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FQD3N50CTF

FQD3N50CTF

僅供參考

型號 FQD3N50CTF
PNEDA編號 FQD3N50CTF
描述 MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD3N50CTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD3N50CTF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD3N50CTF, FQD3N50CTF數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,264.42 KB)
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FQD3N50CTF規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds365pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1230pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 56W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-PAK (TO-252AA)

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

122nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.66nF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3Ohm @ 1.05A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

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功耗(最大值)

65W (Tc)

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