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FQD4P40TF

FQD4P40TF

僅供參考

型號 FQD4P40TF
PNEDA編號 FQD4P40TF
描述 MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD4P40TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD4P40TF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD4P40TF, FQD4P40TF數據表 (總頁數: 9, 大小: 759.09 KB)
PDFFQD4P40TF數據表 封面
FQD4P40TF數據表 頁面 2 FQD4P40TF數據表 頁面 3 FQD4P40TF數據表 頁面 4 FQD4P40TF數據表 頁面 5 FQD4P40TF數據表 頁面 6 FQD4P40TF數據表 頁面 7 FQD4P40TF數據表 頁面 8 FQD4P40TF數據表 頁面 9

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FQD4P40TF規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds680pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

937pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

147W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 630µ

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1750pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

34W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

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