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FQD7N20LTF

FQD7N20LTF

僅供參考

型號 FQD7N20LTF
PNEDA編號 FQD7N20LTF
描述 MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD7N20LTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD7N20LTF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD7N20LTF, FQD7N20LTF數據表 (總頁數: 9, 大小: 625.25 KB)
PDFFQD7N20LTF數據表 封面
FQD7N20LTF數據表 頁面 2 FQD7N20LTF數據表 頁面 3 FQD7N20LTF數據表 頁面 4 FQD7N20LTF數據表 頁面 5 FQD7N20LTF數據表 頁面 6 FQD7N20LTF數據表 頁面 7 FQD7N20LTF數據表 頁面 8 FQD7N20LTF數據表 頁面 9

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FQD7N20LTF規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs750mOhm @ 2.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.1mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

230A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

178nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 26W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

15V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.18A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.25nC @ 10V

Vgs(最大)

+2V, -15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

710mW (Ta)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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