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FQI10N60CTU

FQI10N60CTU

僅供參考

型號 FQI10N60CTU
PNEDA編號 FQI10N60CTU
描述 MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQI10N60CTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQI10N60CTU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQI10N60CTU, FQI10N60CTU數據表 (總頁數: 9, 大小: 614.4 KB)
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FQI10N60CTU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs57nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2040pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.13W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK (TO-262)
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

412pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

420mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta), 27W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1155pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 82W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.14W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta), 50W (Tc)

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