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FQP12P10

FQP12P10

僅供參考

型號 FQP12P10
PNEDA編號 FQP12P10
描述 MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP12P10資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP12P10
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP12P10, FQP12P10數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,224.18 KB)
PDFFQP12P10數據表 封面
FQP12P10數據表 頁面 2 FQP12P10數據表 頁面 3 FQP12P10數據表 頁面 4 FQP12P10數據表 頁面 5 FQP12P10數據表 頁面 6 FQP12P10數據表 頁面 7 FQP12P10數據表 頁面 8 FQP12P10數據表 頁面 9 FQP12P10數據表 頁面 10

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FQP12P10規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs290mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)75W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220F

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-262

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

QFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3760pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

203W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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