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FQP3N80

FQP3N80

僅供參考

型號 FQP3N80
PNEDA編號 FQP3N80
描述 MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP3N80資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP3N80
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP3N80, FQP3N80數據表 (總頁數: 8, 大小: 654.37 KB)
PDFFQP3N80數據表 封面
FQP3N80數據表 頁面 2 FQP3N80數據表 頁面 3 FQP3N80數據表 頁面 4 FQP3N80數據表 頁面 5 FQP3N80數據表 頁面 6 FQP3N80數據表 頁面 7 FQP3N80數據表 頁面 8

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FQP3N80規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds690pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)107W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 12.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

PowerPAK® 1212-8

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制造商

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系列

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FET類型

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技術

SiCFET (Silicon Carbide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

104mOhm @ 10A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

785pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

165W

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-247-3

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制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.82mOhm @ 39A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

257nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10850pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-HVSON (5.4x5.15)

包裝/箱

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制造商

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

205mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

66W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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